HS-NIR-SiRod單晶硅芯長棒紅外探傷測試儀是專門用于硅芯硅棒生產(chǎn)中的硅棒硅芯內(nèi)部的的裂縫、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器，可大幅提高硅芯生產(chǎn)過程中的效率和效益。
主要原理是：在特定光源和紅外探測器的協(xié)助下，我們的紅外探傷測試儀能夠穿透200mm深度的硅棒，純硅料幾乎不吸收這個(gè)波段的波長，但是如果硅塊里面有微粒、夾雜（通常為SiC）、隱裂，則這些雜質(zhì)將吸收紅外光，因此在成像系統(tǒng)中將呈現(xiàn)出來，而且這些圖像將通過我們的軟件自動(dòng)生成三維模型圖像。
系統(tǒng)的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)由相同的輥動(dòng)單元構(gòu)成。輥?zhàn)友b置安全地固定鋼錠，并充當(dāng)兩側(cè)軌道的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，單晶硅芯長棒沿滾動(dòng)支撐結(jié)構(gòu)鋪設(shè)。紅外測量單元在單晶長棒上方移動(dòng)，同時(shí)旋轉(zhuǎn)單晶長棒。紅外測量是掃描式的，在固定電橋位置360度旋轉(zhuǎn)期間拍攝的圖像。測量單元移動(dòng)到下一個(gè)測量位置，對(duì)于圓柱形物體，這種測量策略給出了準(zhǔn)確的結(jié)果。
通常我們都是在硅棒線切割硅芯前進(jìn)行紅外探傷，在線切割前進(jìn)行紅外探傷不僅可以減少不合格硅芯，而且可以減少斷線，大大提高效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統(tǒng)中。因此它是單晶硅芯生產(chǎn)中不可或缺的工具。
產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 為硅芯勝場過程中的質(zhì)量控制提供了強(qiáng)大的監(jiān)測工具
■ 測量單元可以沿著在軌道上滾動(dòng)單晶硅芯長棒上移動(dòng)
■ 檢測速度快，平均每個(gè)長超3米以上的硅棒檢測時(shí)間為不超過6分鐘（不含裝卸時(shí)間）
■ NIRVision®軟件能夠分析探傷結(jié)果，并且直接將結(jié)果轉(zhuǎn)換成三維模型圖像
■ 獨(dú)特的加強(qiáng)型內(nèi)插法為高分辨率的雜質(zhì)探傷功能提供了強(qiáng)大的技術(shù)保障
■ 采用歐洲數(shù)控工程鋁合金材料
■ 表面都采用了高強(qiáng)度漆面和電氧化工藝保護(hù)
■ 系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設(shè)計(jì)
■ 所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了長期高強(qiáng)度使用及小維護(hù)量的要求
■ 能夠通過自動(dòng)或手動(dòng)旋轉(zhuǎn)對(duì)單晶長棒進(jìn)行全面探傷。
■ 紅外光源通過交直流光源進(jìn)行控制，光強(qiáng)可以通過軟件直接控制，同時(shí)它具有過熱保護(hù)功能
■ 同時(shí)軟件包含了雜質(zhì)圖像的管理分析功能
■ 穩(wěn)定性和耐用性俱佳。
■ 探傷測試面拋光處理效果佳，在線硅芯切割之前進(jìn)行紅外探傷
■ 紅外成像光源受電阻率影響，硅塊電阻率越低，則對(duì)紅外光的吸收越多
■ 一般電阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我們的電阻率在0.8Ohm*Cm以上
■ 系統(tǒng)的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)由相同的輥動(dòng)單元構(gòu)成。輥?zhàn)友b置安全地固定鋼錠，并充當(dāng)兩側(cè)軌道的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)
■ 單晶硅芯長棒沿滾動(dòng)支撐結(jié)構(gòu)鋪設(shè)。
■ 紅外測量單元在單晶長棒上方移動(dòng)，同時(shí)旋轉(zhuǎn)單晶長棒。
■ 紅外測量是掃描式的，在固定電橋位置360度旋轉(zhuǎn)期間拍攝的圖像。
■ 測量單元移動(dòng)到下一個(gè)測量位置，對(duì)于圓柱形物體，這種測量策略給出了準(zhǔn)確的結(jié)果。
技術(shù)指標(biāo)：
■ 主要探測指標(biāo)：直徑200mm x 長度3500mm（可定制）隱裂，硬質(zhì)點(diǎn)等
■ 硅塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm
■ 檢測時(shí)間：平均每個(gè)硅棒6分鐘（不含裝卸時(shí)間）
ü 一次掃描的表面為630mm（周長）x 200mm（攝像機(jī)視野）。
ü 全長350cm，可在17個(gè)位置捕獲（尾部，頭部消除）
ü 可在20秒內(nèi)獲得一次360度旋轉(zhuǎn)捕獲。完整測量時(shí)間可保持在6分鐘左右，不包括加載和卸載過程。
