| 规 格：HS-Phys-IRis |
型 号：HS-NIR-SiRod |
数 量：1 |
| 品 牌：合能阳光 |
包 装：运输标准 |
价 格：面议 |
HS-NIR-SiRod单晶硅芯长棒红外探伤测试仪是专门用于硅芯硅棒生产中的硅棒硅芯内部的的裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶等缺陷探伤的仪器，可大幅提高硅芯生产过程中的效率和效益。 主要原理是：在特定光源和红外探测器的协助下，我们的红外探伤测试仪能够穿透200mm深度的硅棒，纯硅料几乎不吸收这个波段的波长，但是如果硅块里面有微粒、夹杂（通常为SiC）、隐裂，则这些杂质将吸收红外光，因此在成像系统中将呈现出来，而且这些图像将通过我们的软件自动生成三维模型图像。 系统的基础结构由相同的辊动单元构成。辊子装置安全地固定钢锭，并充当两侧轨道的基础结构，单晶硅芯长棒沿滚动支撑结构铺设。红外测量单元在单晶长棒上方移动，同时旋转单晶长棒。红外测量是扫描式的，在固定电桥位置360度旋转期间拍摄的图像。测量单元移动到下一个测量位置，对于圆柱形物体，这种测量策略给出了准确的结果。 通常我们都是在硅棒线切割硅芯前进行红外探伤，在线切割前进行红外探伤不仅可以减少不合格硅芯，而且可以减少断线，大大提高效益，这些夹杂都可以清晰地反映在我们的红外探伤系统中。因此它是单晶硅芯生产中不可或缺的工具。 
产品特点 ■ 为硅芯胜场过程中的质量控制提供了强大的监测工具 ■ 测量单元可以沿着在轨道上滚动单晶硅芯长棒上移动 ■ 检测速度快，平均每个长超3米以上的硅棒检测时间为不超过6分钟（不含装卸时间） ■ NIRVision®软件能够分析探伤结果，并且直接将结果转换成三维模型图像 ■ 独特的加强型内插法为高分辨率的杂质探伤功能提供了强大的技术保障 ■ 采用欧洲数控工程铝合金材料 ■ 表面都采用了高强度漆面和电氧化工艺�；� ■ 系统外框采用高质量工业设计 ■ 所有的部件的设计都达到了长期高强度使用及小维护量的要求 ■ 能够通过自动或手动旋转对单晶长棒进行全面探伤。 ■ 红外光源通过交直流光源进行控制，光强可以通过软件直接控制，同时它具有过热�；�功能 ■ 同时软件包含了杂质图像的管理分析功能 ■ 稳定性和耐用性俱佳。 ■ 探伤测试面抛光处理效果佳，在线硅芯切割之前进行红外探伤 ■ 红外成像光源受电阻率影响，硅块电阻率越低，则对红外光的吸收越多 ■ 一般电阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我们的电阻率在0.8Ohm*Cm以上 ■ 系统的基础结构由相同的辊动单元构成。辊子装置安全地固定钢锭，并充当两侧轨道的基础结构 ■ 单晶硅芯长棒沿滚动支撑结构铺设。 ■ 红外测量单元在单晶长棒上方移动，同时旋转单晶长棒。 ■ 红外测量是扫描式的，在固定电桥位置360度旋转期间拍摄的图像。 ■ 测量单元移动到下一个测量位置，对于圆柱形物体，这种测量策略给出了准确的结果。 技术指标： ■ 主要探测指标：直径200mm x 长度3500mm（可定制）隐裂，硬质点等 ■ 硅块电阻率：≥0.8Ohm*Cm ■ 检测时间：平均每个硅棒6分钟（不含装卸时间） ü 一次扫描的表面为630mm（周长）x 200mm（摄像机视野）。 ü 全长350cm，可在17个位置捕获（尾部，头部消除） ü 可在20秒内获得一次360度旋转捕获。完整测量时间可保持在6分钟左右，不包括加载和卸载过程。
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