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| 本發(fā)明提供一種發(fā)光元件，其在抑制放射角產(chǎn)生的發(fā)光強(qiáng)度和波長的分散同時，可提高光取出效率。在基板（１）上具有含有發(fā)光層（４）的化合物半導(dǎo)體層的發(fā)光元件（１０），該發(fā)光元件在含有作為所述化合物半導(dǎo)體層的光取出面的主表面的部分上具備介電率變化結(jié)構(gòu)（１１），該介電率變化結(jié)構(gòu)為，對于介電率不同的兩種以上的物質(zhì)以二維點陣狀周期性地交互排列在所述主表面內(nèi)（６ａ）的光子晶體結(jié)構(gòu)，隨機(jī)變動所述介電率的二維點陣狀的周期性，從而得到非旋轉(zhuǎn)對稱性的介電率分布。 |
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發(fā)光元件
一種發(fā)光元件，其為在基板上具有含有發(fā)光層的化合物半導(dǎo)體層的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光元件在含有作為所述化合物半導(dǎo)體層的光取出面的主表面的部份上具備介電率變化結(jié)構(gòu)，所述介電率變化結(jié)構(gòu)為，對于介電率不同的兩種以上的物質(zhì)以二維點陣狀周期性地交互排列在所述主表面內(nèi)的光子晶體結(jié)構(gòu)，隨機(jī)變動所述介電率的二維點陣狀的周期性，從而得到非旋轉(zhuǎn)對稱性的介電率分布。
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| 專利號: |
200810095239 |
| 申請日: |
2008年5月5日 |
| 公開/公告日: |
2008年11月12日 |
| 授權(quán)公告日: |
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| 申請人/專利權(quán)人: |
日立電線株式會社 |
| 國家/省市: |
日本(JP) |
| 郵編: |
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| 發(fā)明/設(shè)計人: |
秋元克彌 |
| 代理人: |
鐘晶 |
| 專利代理機(jī)構(gòu): |
北京銀龍專利代理有限公司(11243) |
| 專利代理機(jī)構(gòu)地址: |
北京市朝陽區(qū)馬甸裕民路12號E1元辰鑫大廈522號(100029) |
| 專利類型: |
發(fā)明 |
| 公開號: |
101304065 |
| 公告日: |
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| 授權(quán)日: |
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| 公告號: |
000000000 |
| 優(yōu)先權(quán): |
日本2007年5月11日2007-126676 |
| 審批歷史: |
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| 附圖數(shù): |
3 |
| 頁數(shù): |
10 |
| 權(quán)利要求項數(shù): |
1 |
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