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| 本发明公开了一种半导体芯片及其制造方法。该半导体芯片形成有对应于焊盘电极的凸点。该焊盘电极覆盖有镍层。该凸点具有铟层和在铟层与镍层之间设置的中间金属化合物层，并且中间金属化合物层通过合金化铟层和铜层而形成，铜层包含的铜原子相对于铟层中的铟原子具有不低于０．５原子百分比且不高于５原子百分比。 |
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半导体芯片及其制造方法
一种半导体芯片，形成有凸点以使该凸点对应于焊盘电极，其中 该焊盘电极覆盖有镍层； 该凸点具有铟层和设置在该铟层与该镍层之间的中间金属化合物层；以及 该中间金属化合物层通过合金化该铟层和铜层而形成，该铜层包含的铜原子相对于该铟层中的铟原子具有不低于０．５原子百分比且不高于５原子百分比。
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| 专利号: |
200810088781 |
| 申请日: |
2008年5月7日 |
| 公开/公告日: |
2008年11月12日 |
| 授权公告日: |
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| 申请人/专利权人: |
索尼株式会社 |
| 国家/省市: |
日本(JP) |
| 邮编: |
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| 发明/设计人: |
尾崎裕司、胁山悟 |
| 代理人: |
彭久云 |
| 专利代理机构: |
柳沈知识产权律师事务所(11105) |
| 专利代理机构地址: |
北京市朝阳区北辰东路8号汇宾大厦A0601(100101) |
| 专利类型: |
发明 |
| 公开号: |
101304014 |
| 公告日: |
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| 授权日: |
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| 公告号: |
000000000 |
| 优先权: |
日本2007年5月7日122156/07 |
| 审批历史: |
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| 附图数: |
14 |
| 页数: |
13 |
| 权利要求项数: |
2 |
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