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上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH200 是霍尔离子源型 eH 系列中尺寸小, 低成本设计离子源. 霍尔离子源 eH200 适用于小型真空腔内, 例如研发分析, 薄膜沉积和离子清洗. 霍尔离子源 eH200 操作简单是理想的生产工具.
KRI 霍尔离子源 eH 200 技术参数：
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型号
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eH 200
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供电
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DC magnetic
confinement
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- 电压
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40-300V VDC
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- 离子源直径
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~ 2 cm
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- 阳极结构
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模块化
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电源控制
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eHx-3005A
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配置
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-
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- 阴极中和器
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Filament or
Hollow Cathode
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- 离子束发散角度
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> 45°
(hwhm)
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- 阳极
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标准或 Grooved
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- 水冷
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无
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- 底座
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移动或快接法兰
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- 高度
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2.0
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- 直径
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2.5
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-加工材料
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金属
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电介质
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半导体
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-工艺气体
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Ar, Xe, Kr,
O2, N2, Organic Precursors
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- 安装距离
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6-24”
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- 自动控制
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控制4种气体
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* 可选: 可调角度的支架;
Filamentless; Sidewinder
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KRI 霍尔离子源 eH 200 应用领域：
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉积 DD
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立
Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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