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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数：
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型号
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KDC 100
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供电
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DC magnetic
confinement
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- 阴极灯丝
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2
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- 阳极电压
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0-100V DC
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电子束
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OptiBeam™
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- 栅极
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专用, 自对准
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-栅极直径
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12 cm
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中和器
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灯丝
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电源控制
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KSC 1212
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配置
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-
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- 阴极中和器
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Filament,
Sidewinder Filament 或LFN 2000
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- 安装
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移动或快速法兰
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- 高度
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9.25
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- 直径
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7.6
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- 离子束
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聚焦
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平行
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散设
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-加工材料
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金属
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电介质
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半导体
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-工艺气体
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惰性
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活性
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混合
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-安装距离
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8-36”
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- 自动控制
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控制4种气体
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* 可选: 可调角度的支架
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KRI 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域：
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立
Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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上海伯东: 罗先生
